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石墨烯基场效应管的出现让人们意识到硅基金属氧化物场效应管（MOSFETs）的局限可能被打破，车上车辆激发了对新型二维材料的探索。随后，榜工以石墨烯为代表的一系列新型薄层材料开始涌现，榜工人们也开始将这类具有片状结构，横向尺寸超过100nm而厚度在一个或者几个原子的材料统称为二维材料或者超薄二维材料[1]。
利用微机械剥离的方法得到的单层二硫化钼被转移放置到表面覆盖有二氧化硅的硅基衬底上，信部再利用原子层沉积的方法制备氧化铪栅极绝缘层。首批税非这是研究人员首次在室温条件下实验制备得到稳定的原子层厚度级的连续薄膜材料。不仅如此，免征目录作为二维材料实验制备的肇始之作，免征目录这项研究也为如何定义二维材料提供了实验依据---二维材料的电子结构会随着层数的变化而发生剧变，当层数增加至足够厚时，其电子结构将趋近于对应的块体材料，即材料的结构从二维转变成了三维。
与此相反，购置这两项研究利用高质量石墨烯样品中观测到了量子霍尔效应以及非零的贝里相位，购置传导电子的能量和动量呈现线性关系，石墨烯电子的量子力学行为更符合狄拉克方程，表明石墨烯电子是一种可忽略自身质量的相对论粒子。而相比于石墨烯，运输二硫化钼结构不存在空间反演对称，运输具有非零的天然带隙，单层的二硫化钼又是直接带隙半导体，因此单层二硫化钼被认为是前景更加光明的新型逻辑芯片材料。
自从开创性地发现石墨烯以来，发布关于二维材料的研究呈现爆炸式的增长，本文希望通过汇总高被引研究文章来简要论述近十几年来二维材料的发展。
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